半导体光电材料大失配异质结构的研究

运用透射电子显微学（包括电子衍射、衍射衬度分析、高分辩晶格分析，以及计算机模拟），对各类大失配的半导体闪锌矿异质结构进行了观察和分析，确定了位错的分布和类型，分析了其起源，提出了以成份不连续梯度缓冲层来减少穿越位错的方法。该方法的要点是，使大失配异质结构中的钉扎型失配位错改变为滑移型位错，并通过它们在各亚界面上的滑移，增加位错间的相互作用，从而达到位错湮灭和减少的目的，故能提高薄膜的生长质量。将该方法应用于二六族和三五族半导体异质结构的生长，获得了较好的效果。同时，根据国际上的最新动态，本课题将研究领域扩大到了最近迅速发展的氮化物半导体异质结构。