硅基异质结光电材料的界面结构与光电性能

基本信息
批准号:50272019
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:赵连城
学科分类:
依托单位:哈尔滨工业大学
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李美成,李洪涛,俞泽民,邱永鑫
关键词:
异质结界面结构光电性能
结项摘要

用光电子能谱、电镜等表面分析与电子显微技术研究分子束外延和脉冲激光沉积方法制备的硅基光电薄膜材料的界面形貌、缺陷态等界面结构、深入研究化学反应、原子扩散等界面反应产生的不同原子成键、电子结构和界面态特征,揭示界面结构、界面态及光电性能的关系,建立界面态影响光电性能的物理模型,为高质量的光电探测器的研制提供材料科学依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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