硅基金属纳米结构的制备及其物理性质

本项目利用具有原子级分辨能力的超高真空扫描探针显微术以及其它相关实验探测技术，在硅基半导体材料及其氧化物表面制备金属纳米结构，从原子尺度上研究金属纳米结构自组织生长过程、结构及其与小尺寸效应有关的热稳定性、电学、光学等物理特性，探索深层的物理机制。半导体工业超大规模集成技术的飞速发展，造成微电子器件线度日益减小而接近其工作原理的"物理极限"，纳米电子器件最终必会代替微电子器件成为二十一世纪信息产业的核心。金属在半导体Si材料及其氧化物表面上纳米结构的生长制备与作为信息产业支柱之一的微电子工业密切相关，有着十分广泛诱人的应用背景。硅基MOS器件栅极的形成、器件互连和导线等都涉及金属/半导体体系的性质和功能。纳米体系具备特殊的结构和全新的性质，通过本项目研究工作的开展，期望生长出有序的准一维金属纳米结构，重点探索纳米结构的物理性质，从而获得全新纳米功能材料和对信息产业发展有指导意义的研究成果。