在理论上证明了非晶态钴合金中,二十面体钴原子团可以稳定存在的基础上,在非晶态烂钴薄膜中获得预想的低矫顽力。当原度高子二千纳米,钴含量高达百分之八十时矫顽力可低于一百毫奥斯特。同时发现钴铜多层膜的层间耦合的巨磁电阻效应均与缓冲层原芳变化是振荡关系,振荡周期九十埃,可获得的低矫顽力薄膜并不能用于自旋阀巨磁电阻多层膜,原因在于烂和钴的原子半径基太大,介面散射破坏了原磁电阻效应。我们还增加了高矫顽力薄膜材料探索的研究,在2:17型稀土铁碳合金掺以硅的薄膜中获得七千奥斯特的高矫顽力,是少有的好结果。总之已完成本项目的预定计划,获得若干的结果,部分超额完成一些研究工作。
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数据更新时间:2023-05-31
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