铌酸锶钡是一种性能优异的铁电材料,具有较大的电光系数,热释电系数等,但由于铌酸锶钡薄膜和硅衬底有很大的晶格失配率,很难获得硅基高择优取向生长的铌酸锶钡薄膜。本项目提出两种方法改进SBN薄膜的生长特性,分别为含钾离子的SBN薄膜缓冲层调整薄膜和衬底的界面性能以及引入氧化镁缓冲层结构,使用溶胶凝胶法和射频磁控溅射法研究半导体硅单晶衬底上生长高择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜的技术,研究缓冲层的成分,结构和厚
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
近红外光响应液晶弹性体
重金属-柠檬酸-针铁矿三元体系的表面络合模型研究
无机粒子填充硅橡胶基介电弹性体的研究进展
适用于光波导的铁电铌酸锶钡薄膜的外延生长与光学性能研究
高介电系数硅基钛酸锶钡铁电多层膜的研究
钛酸锶钡薄膜取向生长、界面调控及介电调谐性能研究
硅基外延掺铌钛酸锶薄膜电致电阻的调制机理研究