ZnS纳米体系的掺杂磁性质研究

ZnS is an important II-VI direct bandgap semiconductor,which has a wide range of applications in areas such as displays, sensors, lasers, and catalytic. Due to the quantum confinement effect and the surface effect, nanoscale ZnS material shows very good optical and opto-electronics properties, different from the bulk crystal. This project uses the first-principles calculation method to study the doped magnetic properties of low-dimensional ZnS nano-materials and kooking for materials with room-temerature ferromagnetism, providing theoretical reference for experiments and applications.

ZnS是一种重要的II-VI族直接带隙半导体，在显示器、传感器、激光和催化等领域有着广泛的应用。由于量子限制效应与表面效应，纳米尺度下的ZnS材料显示出非常好的光学和光电学特性，与体材料差别很大。本项目采用第一性原理计算方法，系统研究低维ZnS材料的掺杂磁性质，寻找可能的室温铁磁性材料，为实验制备和实际应用提供理论参考。

课题组在项目负责人博士研究阶段成果的基础上，采用第一性原理计算相结合的方法，系统的研究了低维ZnS材料的结构和性质。主要研究了一维ZnS纳米管的结构、电学性质、力学性质以及掺杂磁性质。为了比较II-VI族化合物的差异，我们同时还研究了零维ZnO和ZnTe团簇的掺杂磁性质。目前已完成了任务书中规定的研究内容，在核心期刊上共发表5篇论文（含已接受）。另外，还有三篇相关论文于20113年底已投国外的SCI源期刊，正在审稿中。