高性能GaAs探测器的研制
基本信息
批准号：19575073
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：丁洪林
学科分类：
依托单位：中国原子能科学研究院
批准年份：1995
结题年份：1998
起止时间：1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张秀凤,张万昌,李江
关键词：
砷化镓半导体核辐射探测器
结项摘要
高性能GaAs探测器的研制,用国产高阻半绝缘砷化镓单晶材料，经掩模化学腐蚀抛光减薄样品（厚度80μm左右），采用较合理的Ni-Ge-Au合金蒸发工艺制备欧姆接触并经过真空热处理和表面处理等工艺，制备出正向导通电压=≤15伏；反向耐压300伏时漏电流为2-5×10(-8)A；对(241)Am59.5KeV的低能γ射线，FWHM为5.61KeV。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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