硼碳氮体系等电子浓度规律及其薄膜合成研究

基本信息
批准号:50572012
项目类别:面上项目
资助金额:27.00
负责人:陆文琪
学科分类:
依托单位:大连理工大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:徐军,羌建兵,张治国,苏元军,高鹏,丁万昱
关键词:
BCN(Si)薄膜等电子浓度微波ECR等离子体辅助沉积
结项摘要

硼碳氮三元体系共价化合物由于其丰富的结构和特殊的性能而备受瞩目,目前研究主要集中材料成分和结构的理论设计以及薄膜材料合成上,但是限于理论局限和制备技术,其相形成规律,尤其在富氮区,仍然知之甚少,至今没有实用的成分设计判据。我们最近发现,在该三元相图上存在与准晶合金系类似的等电子浓度线特征,即相形成与均原子电子浓度(e/a)有关,本项目将以这个等电子浓度规律作为理论指导,有目的地对硼碳氮三元体系富氮区薄膜形成和性能进行研究,同时完善针对共价键化合物的等电子浓度成分判据。薄膜制备将采用自行研制的等离子体辅助沉积装置,该技术特点是能够产生高密度、高活性氮等离子体,能够实现成分控制,保证薄膜成分进入富氮区。在此基础上,进一步通过硅掺杂,探索多元共价键化合物薄膜的成分设计规律及合成工艺。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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