离子束损伤工程

本项研究是我们得到国家基金资助的高能注入系列研究中一项新探索。从实验研究入手，运用我们提出的离子束缺陷工程新原理，新方法研究注入损伤晶体中缺陷换抑制与消除的物理规律。经三年努力现已取得具有重要价值的成果。光后发表学术论文9篇（待发表的1篇，）。为国际、国内学术会议提供文章报告4次。成果中关于“离子束缺陷工程与离子注入Si中缺陷的抑制”研究在1996年被评为国家教委科学技术进步奖（甲类）三等奖。在物理学上，我们的成绩可概括为两点：1，高能重离子注入Si中缺陷的抑制与消除；2、注入损伤Si中掺杂激活率的改善与提高。这两方面的研究均是国内、外学者新共同关注的问题，我们的研究成果因而受到重视并多次被引用和被国际科学文摘所收录。