强磁场对气相沉积制备薄膜材料的影响

基本信息
批准号:50671060
项目类别:面上项目
资助金额:29.00
负责人:任忠鸣
学科分类:
依托单位:上海大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:俞圣雯,任维丽,王立龙,任树洋,余建波
关键词:
金属材料晶体生长薄膜强磁场
结项摘要

进行强磁场下气相沉积制备薄膜材料基础研究,在强磁场的环境下真空蒸发和化学气相沉积金属等薄膜,使用AFM、SEM、TEM、XRD等手段观察薄膜的形貌、组织结构、晶体位向、空穴和位错等缺陷,研究强磁场对薄膜平整度、晶体取向、缺陷等的影响,探究强磁场下原子和原子团在衬底和界面上沉积的基本过程,分析这种条件下岛状和层状生长方式的变化,探索强磁场控制形核和生长方式形成自组装结构的方法,提出相应技术原理,为应用强磁场制备高质量和自组装结构薄膜提供基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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