用聚酰亚胺LB膜热解法在单晶硅衬底上异质外延制得β-SiC单晶薄膜,该方法属国际首创。研究并搞清了SiC膜的生长机理、界面反庆过程及钾促进氧化的机理。研究发现LB膜高度有序的超点阵结构有利于单晶SiC膜的外延生长。用LB膜技术结合纳米技术,制得多孔碳化硅/多孔硅纳米复合膜,其发生稳定性与多孔硅相比大大改善,经900℃热处理半小时后,在室温下仍发蓝绿光,并发现一新的紫外发光峰(340nm)。用含纳米硅化物的有机膜热解法,在硅衬底上制得4H-SiC单-晶型的薄膜,其PL峰有385nm。上述两种薄膜进一步提高质量,可望作为硅基兰光甚至紫外光发光材料 ,已发表论文7篇,其中被SCI检索4篇,等发表和拟发表论文3篇。
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数据更新时间:2023-05-31
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