用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷

本项目研究高分辨率数字正电子寿命谱技术并建立一套高分辨率的数字正电子寿命谱仪，并用于短寿命及小寿命差鉴定。以此为基础，结合正电子湮没符合多普勒展宽测量和一些光学（光致发光谱等）、电学方法（霍尔等），研究非掺、掺杂以及经过热处理的ZnO、InP等材料中的重要基础问题，ZnO材料p型导电载流子补偿机制、本征半绝缘型InP的形成机理。研究缺陷亚晶格和空位-杂质复合体，研究缺陷的种类、构型、浓度、荷电状态、不同掺杂浓度对缺陷的影响以及由此造成的补偿变化等。研究辐照、离子注入和经热处理后材料中缺陷的结构类型、浓度、荷电状态、空位缺陷与杂质的复合体的变化。研究非化学计量对缺陷结构的影响。本项目对促进正电子谱学技术的发展，以及改进半导体光电材料的制备方法，提高半导体材料的性能具有实际意义。