ZnO稀磁半导体中复合缺陷诱发的磁学性能

稀磁半导体材料是当前先进材料中最活跃的前沿科学研究领域之一，有望给新一代微电子器件工业带来一场革命。弄清楚稀磁半导体材料的铁磁性来源，提高稀磁半导体材料的居里温度，是目前迫切需要解决的科学基本问题。稀磁半导体中的缺陷与其铁磁性是密切相关的。但是目前实验上和理论上对ZnO稀磁半导体材料的磁性来源的解释具有强烈的争议。本项目将采用第一性原理计算方法系统的研究Co掺杂以及（Co，Ga）共掺等ZnO稀磁氧化物中的复合缺陷（n型或p型掺杂与ZnO中的本征缺陷等）对ZnO稀磁半导体磁学性能的影响。通过研究复合缺陷影响ZnCoO体系磁学性能的微观机制，从原子层次上揭示稀磁半导体的磁性来源问题。进一步结合实验探索研制开发新型高温稀磁半导体材料。