非弹性散射对分子器件电输运性质的影响：分子振动效应

利用分子丰富的电学性质来构造分子器件是纳器件的重要发展方向之一。具有自由电子(pi电子)的共扼分子体系适合用来制备分子器件。作为低维体系，该类分子存在较强的电-声相互作用。因此，非弹性散射过程将明显地影响分子器件的电输运性质。本项目在已建立弹性散射格林函数方法的基础上，考虑分子的振动模式，发展非弹性散射格林函数方法，在第一性原理的基础上自洽计算分子的电输运特性，从而得到分子器件的非弹性电子隧穿谱，利用它和分子与吸附表面的接触形状以及接触位置的关系，进一步从理论上提出利用非弹性电子隧穿谱确定分子与表面的接触形状以及位置的技术，达到从微观上调控分子器件的设计组装之目的。本项目是已有工作的进一步发展，这些研究对于全面准确地探索分子器件功能与分子结构的关系具有重要的意义，为构造未来的分子电子器件提供理论支持。