纳米结构中的电子和空穴隧穿
基本信息
批准号：10174076
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：李树深
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘波,胡承勇,李月霞,李承芳,刘金龙,武海斌,孙连亮,万寿普
关键词：
纳米结构隧穿电子和空穴
结项摘要
纳米结构中的电子和空穴量子隧穿研究有重要物理意义和巨大潜在应用价值。在许多纳米结构材料中电子空穴有效质量具有空间各向异性且轻空穴与重空穴之间具有混合效应使电子空穴隧穿机制非常复杂。在许多纳米器件中需要引入掺杂，量子隧穿机制研究是必不可少的。通过对纳米结构中的量子隧穿研究可以为未来微电子光电子和其它纳米器件应用打下基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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