AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管的研究

紫外探测器在导弹预警及追踪，生化反应的早期检测,工业控制及火灾报警等方面有着广泛的应用。基于AlGaN材料的紫外探测器可通过调整Al组分实现"日盲"，从而降低背景噪声，省去长波长滤光片，具有成本低、体积小、量子效率高、抗辐照能力强、化学稳定性高等优点，被认为是最有发展前景的半导体紫外探测器件。本项目以制备高性能AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管(APD)探测器为研究目的，拟从基础关键的外延生长技术着手，研究发展具有高度自主知识产权的、MOCVD法生长高品质AlN/sapphire模板、位错阻挡层的外延技术；并拟采取模拟计算与实验相结合的方法，获取AlGaN材料相关物理参数，创新设计日盲APD结构，为外延生长与器件工艺提供理论支撑；在此基础上，研究解决器件工艺中导致APD提前反向击穿、雪崩增益降低的关键难点问题，以期实现具有高雪崩增益(M>500)的AlGaN日盲APD的制备.