PtSix-GaAs肖特基结制备及快速退火对界面特性影响研究

基本信息
批准号:68876112
项目类别:面上项目
资助金额:3.00
负责人:罗晋生
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:1988
结题年份:1990
起止时间:1989-01-01 - 1990-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:汪立春,齐鸣,何丕模,粱振宪,杨奇
关键词:
硅化物快速退火界面
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能

萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能

DOI:10.7538/hhx.2022.yx.2021092
发表时间:2022
2

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

DOI:
发表时间:2016
3

无人帆船研究现状与展望

无人帆船研究现状与展望

DOI:10.3901/JME.2018.24.098
发表时间:2018
4

三电平ANPC变换器快速模型预测控制策略研究

三电平ANPC变换器快速模型预测控制策略研究

DOI:
发表时间:2020
5

U形UHPC永久模板RC无腹筋组合梁抗剪性能试验

U形UHPC永久模板RC无腹筋组合梁抗剪性能试验

DOI:10.19721/j.cnki.1001-7372.2021.08.012
发表时间:2021

罗晋生的其他基金

批准号:69571024
批准年份:1995
资助金额:8.00
项目类别:面上项目
批准号:69476030
批准年份:1994
资助金额:7.20
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

位错对金属GaN肖特基接触界面漏电的影响机制研究

批准号:61404158
批准年份:2014
负责人:刘磊
学科分类:F0405
资助金额:22.00
项目类别:青年科学基金项目
2

退火孪晶界面及其数量对FeMnSi基合金形状记忆效应的影响及控制

批准号:51171123
批准年份:2011
负责人:文玉华
学科分类:E0110
资助金额:60.00
项目类别:面上项目
3

离子束混合及瞬态退火制备硅化钛和浅结的机理

批准号:68676028
批准年份:1986
负责人:张敬平
学科分类:F04
资助金额:2.00
项目类别:面上项目
4

界面层微结构对金属硅肖特基势垒接触的影响

批准号:68776047
批准年份:1987
负责人:黄波
学科分类:F0405
资助金额:2.00
项目类别:面上项目