p-GaN/i-ZnO/n-ZnO一维异质结构有序阵列与LED器件研究

研究用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PA-PLD）技术在p-GaN/蓝宝石基片上自组织生长ZnO纳米（管）线阵列的机制；研究激光功率、等离子体羽(plume)形态、基片温度及气压对在p-GaN单晶薄膜上自组织生长的i-ZnO纳米（管）线/n-ZnO纳米（管）线阵列的密度、组分、结构、光学和电学输运性质的影响；研究一维p-GaN/i-ZnO纳米（管）线/n-ZnO纳米（管）线异质结构材料中载流子吸收、激子形成及复合发光的机理；优化i-ZnO纳米（管）线的长度，研制出在i-ZnO层发射的电注入蓝紫色异质结发光二极管（LED）原型器件。本项目通过在p-GaN和n-ZnO纳米（管）线间引入i-ZnO夹层来克服载流子在p-GaN区复合的问题，获得高质量ZnO纳米（管）线阵列蓝紫色LED，其相关材料和器件研究是纳米科学研究的前沿课题。