最近,我们率先发现含有高浓度磁性原子,且具有规则晶体结构的三元化合物R2TSi3和 R5T3Si7(R=稀土元素, T=过渡族元素)表现出低温自旋冻结现象,即高浓度自旋玻璃效应。与稀释磁性合金的自旋玻璃不同,这些磁性体中的所有原子形成规则的结晶格子(几何有序),但非磁性原子之间的无序排列(化学无序)所导致的f-d/p混成 (f-d/p mixing) 的无序变化极有可能是高浓度自旋玻璃态的主要成因。本课题将以R2TSi3和R5T3Si7为主要研究对象,利用元素置换(置换R或T元素),组成变化(R2T1-xSi3+x,R5T3-xSi7+x)以及外部压力来有效控制f-d/p混成。通过磁性,电子输运等物性的测量探索各种条件下混成强度的变化及其对自旋玻璃行为的影响。通过本课题的研究,可望为高浓度自旋玻璃态成因的解明开拓捷径,并对新型磁性记忆材料的开发提供指导。
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数据更新时间:2023-05-31
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