掺Ce磁光薄膜制备及其磁光特性研究

基本信息
批准号:69401004
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:6.50
负责人:欧阳嘉
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:苏钧,何志勇
关键词:
磁光特性磁光增强掺Ce磁光薄膜
结项摘要

制备了性能优良的CeY2Fe5O12靶。通过大量实验研究得到了预烧温度和烧结温度条件对靶性能的影响关系;在各种不同基片温度和溅射功率下研究了对薄膜成分、薄膜厚度、磁光参数的影响。研究证明基片温度直接决定晶化程度,对薄膜的各项参数起决定性作用。采用热处理结晶化在625℃左右可以得到单一的石榴石相,这点从X射线分析及薄膜比法拉第旋转角θF测量得到证实。在700-800℃N2气热处理同样可以实现薄膜结晶化,但法拉第转角较小,这是由于薄膜中存在严重氧缺陷所致。实验制得膜厚为0.3μm的Ce:YIG薄膜,热处理后,室温下633nm处其比法拉第旋转角θF为1.9×10(4)deg/cm,光吸收系数α为2500(-1)。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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