应用衬底上金刚石形核与生长初期的研究

本研究工作首先着手筹建栅状直热丝CVD设备，然后在W，Mo,Cr,Si,Ti,Ta,V,Zr,Hf,Nb以及WC-Co硬质合金应用衬底上沉积金刚石膜。在此基础上选择Si为衬底研究异质外延金刚石单晶膜，选择Mo为衬底沉积金刚石厚膜。获部级贰等奖的主要内容是主要完成者积长年对金刚石与金属合金界面物理研究的成果，于1989年（先于国内外）对CVD金刚石膜与衬底之间的结合界面提出一个规律性的预测。本项目及他人实验结果完全证实了预测的正确性。本界面物理规律的揭示对具有巨大技术经济潜力的涂层金刚石膜工具及耐磨元件的研制有重要的意义，对制备此类工具和元件衬底的选择、工艺参数的制定、增强衬底与金刚石膜之间结合力的界面设计均有实际指导意义。