中子星的高能辐射

应用X射线双晶衍射技术，镜面反射，漫反射和倒空间横扫描等技术，在原子水平深入研究GeSi/Si，化合物半导体多层膜和超晶格的界面结构，应力分布，失配位错和界面粗糙度等参数及其对材料性能的影响。（1）改进和发展了双晶衍射摇摆曲线计算机模拟程序，使之成为运用范围广，功能比较全的程序；（2）测定了多种不同工艺生长的多层膜，超晶格材料的结构参数，点陈失配和位错网络等，为优化制备工艺提供科学依据；（3）推导低维材料X射线反射强度表达式，编制计算机程序和数据库；（4）研究了不同层厚，不同基片偏角的GeSi/Si超晶格的界面粗糙度；（5）研究了在Si.Ge,和GaAs衬底上生长的成分梯度SiGe外延膜和生长在低温Si缓冲层SiGe异质结构的界面应变，失配位错密度。