激光ＣＶＤ纳米氮化硅的成核生长机理研究

利用CARS光谱技术和激光动态光散射技术分别探测激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的化学反应中间产物、火焰温度成核生长的空间位置，研究纳米粒子的成核生长和碰撞粘结过程获得了成核生长的机理过程。提出了双光束激励方法制得了理想化学计量的纲米氮化硅，解决了多束没能解决的氮化硅中存在游离硅的问题。Si3N4粉末的最终粒径主要由单体浓度决定，激光加热速率和反应气体的初始浓度是影响粒子最终尺寸的关键因素，Si3N4的生长是通过Si、N原子向核表面输运凝并和在核表面反应而进行的，耗尽生成核周围一定体耗内的Si、N原子之后，生长终结。本项研究已在国内外重要学术刊物发表相关的论关5篇，还有2篇待发表，圆满完成了申请书中的内容达预期目标。