利用侧壁氧化制备Si02中纳米SiGe合金的新方法
基本信息
批准号：69776009
项目类别：面上项目
资助金额：11.00
负责人：张敬平
学科分类：
依托单位：山东师范大学
批准年份：1997
结题年份：2000
起止时间：1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王书运,王显明,刘德丽
关键词：
氧化纳米晶体
结项摘要
本课题证实了SiGe合金氧化后所形成氧化层厚度为所消耗的SiGe合金的2.25倍。发现了氧化温度为900℃时氧化速度最快，900℃是氧化的临界温度。当Ge的成份大于或等于50%时氧化温度大于900℃时Ge不参加氧化层和SiGe合金的界面堆积，温度小于900℃时Ge参加氧化。我们提出了这一现象的模型。为了形成纯的SiO2，我们在样品升温过程用氮气保护，避免Ge在升温时氧化。利用实验结果计算了SiGe阵列的柱体尺寸及柱体间的距离。实验表明800nm的SiGe柱氧化后可形成90nm的SiGe合金埋入SiO2层中。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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