有耗衬底电磁参数的边界元提取算法研究
基本信息
批准号：60401010
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：20.00
负责人：喻文健
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王习仁,魏洪川,郭小波,张梦生,曾姗
关键词：
有耗衬底螺旋电感寄生参数微波电路边界元法
结项摘要
当前，硅衬底已在微波电路、射频（RF）电路以及数字-模拟混合电路中得到广泛应用，其损耗特性使其成为干扰电流的通路，对电路性能产生了极大的影响。因此在微波与混合信号集成电路中，对有耗衬底耦合效应的分析及其相关电磁参数的提取已成为当今的一个研究热点。本课题针对当前硅集成电路工艺特征，主要研究衬底耦合电阻、频变导纳的高效三维边界元计算方法，以及RF电路中有关螺旋电感的数值建模与分析方法。希望通过采用已成
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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