GaN 线性功率器件及大信号模型

本项目通过采用数值算法自洽求解Poission和Schr?dinger方程，计算在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN结构中，不同缓变层AlyGa1-yN厚度和Al、Ga组分比形成的异质结导带差大小，以及2DEG中靠近异质结界面的横向电场随导带差的变化情况，进而得出缓变层AlyGa1-yN厚度和Al、Ga组分比对2DEG中靠近异质结界面横向电场的影响；同时，用TCAD软件从物理结构角度来仿真在AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN结构中，缓变层AlyGa1-yN厚度和Al、Ga组分比改变，对器件直流和交流特性产生的影响，为确定最佳器件外延层结构提供理论上分析；再通过实验，实际在蓝宝石衬底上外延生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN HEMT，并进行流片和大信号测试；在此基础上建立一种新的改进的大信号模型，并把建立的模型嵌入到ADS微波电路设计软件中。