高密度玻璃覆晶(COG)封装的凸点植球(POB)方法研究及应用

基本信息
批准号:50805097
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:22.00
负责人:盛鑫军
学科分类:
依托单位:上海交通大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王志平,贾磊,张波,毕昕,巴政宇,许雄,郭思明
关键词:
二相流工艺优化凸点植球(POB)玻璃覆晶(COG)
结项摘要

平板显示器向高密度方向发展,使其驱动芯片的玻璃覆晶(COG)封装困难加剧,采用现有各向异性导电胶封装方法无法解决"高"凸点短路几率和"低"接触电阻的矛盾。本项目组经过为期一年的预研,提出了在凸点植焊导电颗粒(POB)方法并申请了专利,在保证连接强度和电性能的前提下控制凸点上的导电颗粒分布。本项申请旨在深入研究并优化POB方法:1)研究导电颗粒植焊工艺,包括焊料配比、温度及时间等参数的控制;2)建立粘弹性非导电胶-空气二相流体流动特性模型,研究POB方法对COG模块封装底部填充的影响;3)分析植球凸点上导电颗粒数目、分布以及凸点的制造容差与接触电阻之间的关系;4)测试POB工艺的连接电性能、机械性能并优化导电颗粒植焊工艺;5)开发高铺敷比的晶圆级导电颗粒定点铺敷法。该项目的深入研究可为平板显示器进一步发展提供一套全新有效的封装方法,具有重要的理论和应用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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