本项目拟针对解决微波RF高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模技术中物理基模型的速度慢和传统等效电路模型精度低的缺点,提出将神经网络建模技术和传统的等效电路模型建模技术相结合的方法,该项目研究属于神经网络和电路与系统学科的交叉研究领域,在保留单独神经网络建模技术和传统等效电路模型技术优势的基础上,具有反映器件物理模型、仿真速度快、精度高的特点,可以解决单独利用单一技术难以解决瓶颈所在。
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数据更新时间:2023-05-31
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二维FM系统的同时故障检测与控制
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扶贫资源输入对贫困地区分配公平的影响
高电子迁移率晶体管毫米波建模和可靠性研究
GaN基纳米线阵列高电子迁移率晶体管研制与性能研究
纳米栅高电子迁移率晶体管的研究
高电子迁移率晶体管(HEMT)材料的辐照效应研究