弱外延生长制备有机半导体多晶薄膜

基本信息
批准号:51133007
项目类别:重点项目
资助金额:290.00
负责人:闫东航
学科分类:
依托单位:中国科学院长春应用化学研究所
批准年份:2011
结题年份:2016
起止时间:2012-01-01 - 2016-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王海波,于波,王丽娟,陈为超,乔小兰,杨建兵,王滋,王秀锦,潘峰
关键词:
多晶薄膜弱外延生长高迁移率薄膜制备
结项摘要

弱外延生长是制备大面的高迁移率有机半导体多晶薄膜的一种工业技术技术,应用在平板显示领域。目前该技术实际应用遇到的主要问题是加工条件窗口窄。随着有机电子学的发展,有机光伏电池和有机传感器等技术也需要高迁移率和大面积的有机半导体多晶薄膜制备技术。本项目拟通过诱导层材料的电子结构、晶胞参数和固熔体诱导层的热力学与生长动力学研究,解决弱外延生长加工条件窗口窄的问题。同时,开展有机量子阱和超晶格研究,探索高功能和新功能有机半导体材料及其新型器件。

项目摘要

弱外延生长是制备大面的高迁移率有机半导体多晶薄膜的一种工业技术技术,应用在平板显示领域。目前该技术实际应用遇到的主要问题是加工条件窗口窄。随着有机电子学的发展,有机光伏电池和有机传感器等技术也需要高迁移率和大面积的有机半导体多晶薄膜制备技术。本项目通过诱导层材料的电子结构、晶胞参数和固熔体诱导层的热力学与生长动力学研究,解决了弱外延生长加工条件窗口窄的问题。制备出了基于高质量弱外延薄膜的高性能有机薄膜晶体管、光伏电池和传感器。同时,开展了有机量子阱和超晶格研究,探索高功能和新功能有机半导体材料及其新型器件。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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