高灵敏度阱内光电离—离子阱质谱技术及关键部件的研究
基本信息
批准号：20575015
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：方向
学科分类：
依托单位：中国计量科学研究院
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：欧阳证,覃莉莉,徐锐锋,熊行创,黄泽建,白岗,张小华,江游
关键词：
光电离低电离能离子阱质谱
结项摘要
通过低气压（1-10-2 Torr）下光电离基理、电离选择性、二次电子对电离过程的影响、缓冲气体对光电离作用和光电离效率等基础理论的研究，探索大容量离子阱选择性离子存储和精确发射技术，构建阱内光电离-离子阱研究的理论模型和实验模型，在此模型的基础上，开展VOC's阱内光电离-离子阱质谱分析的方法学研究，并试图建立针对多种挥发性及半挥发性有机污染物和其他低电离能物质的准确、快速、灵敏的质谱分析方法，
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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