研制高效硅太阳电池的新技术

本项目用高频溅射法在单晶硅衬底上沉积a-Si层，测量了该层的结构、厚度、电阻率和导电类型。用上述a-Si层作为扩散阻档层，一次高温扩散形成高效硅太阳电池所需的浓度表面分布，研究了优化扩散工艺和腐蚀工艺，对比了常规硅太阳电池工艺的本工艺所制备的太阳电池，证明新工艺所占电池的串联电阻更低，填充因子和效率有所提高。还研究了不同国家生产太阳电池所用单晶硅衬底材料的性能，发现国产衬底材料质量不如国外著名厂家，但用优级原料所制备的材料却优于国外的，说明要提高国产太阳电池的性能，应从拉单晶的原料上开始把关，本项目所研究的方法可供工业化生产参考，有利于降低成本，提高效率。