超导场效应晶体管器件和电路模型研究

本课题从超导体的电场效应出发，首先建立超导场效应晶体管的物理模型，进而建立了超导场效应晶体管等效电路模型，并将器件模型用于电路研究。在运算放大器，连续域模拟集成VLSI子电路和离散域模拟集成VLSI子电路的分析中取得成功。揭示了这种器件和电路的低功耗，超高频等优异性能，为进一步的研制和发展提供了理论基础。本课题研究结果共发表论文十篇，在电子学报已发表三篇，待发表二篇；第五届国际超导电子学学术会议上三篇；全国超导电性会议上一篇和全国半导体材料和集成电路会议上一篇。日本大阪大学教授小猛林对我们的研究结果给予高度的评价，他认为有力地推进了超导场效应器件研究互作。欧洲《超导科学与技术》将于明年出版本研究论文。