微纳尺度电子型超导体薄膜界面输运性质研究

对电子型超导体的认识远不如空穴型超导体的一个最主要的原因是由于样品制备上的困难，因此亟需高质量单晶和薄膜。我们计划以激光分子束外延和磁控溅射相结合制备高质量薄膜和异质结，以扫描隧道和原子力显微镜、X-射线和透射电镜进行结构特征化。在高质量电子型超导体薄膜的基础上，发展电子型超导材料和相关空穴型氧化物材料（包括超大磁电阻CMR和铁电体材料）异质结，能够帮助我们深入认识电子型超导体的电子相，电子型超导体的电荷载流子性质和CMR材料自旋极化度，为解决电子型超导体对称性和两类载流子问题提供直接信息。研究p-n/p-I-n结在零磁场和磁场下的I-V特征和界面电导，以Andreev反射和相应界面输运特征为判据为确定超导对称性提供依据。以p-I-n的整流效率和在光场下的响应讨论界面能带性质和发展新型器件原型。