氮化物导电衬底MgIn2O4晶体的生长与性能研究
基本信息
批准号：50472032
项目类别：面上项目
资助金额：10.00
负责人：夏长泰
学科分类：
依托单位：中国科学院上海光学精密机械研究所
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴峰,彭观良,王静雅,刘军芳,王浩炳
关键词：
晶体生长助熔剂法铟酸镁水冷定位成核氮化物导电衬底
结项摘要
本项目在国际上首次提出一种氮化物导电衬底MgIn2O4晶体，考虑到MgIn2O4是一种新型透明氧化物导体, 并且与GaN的晶格失配率仅为1.7%，MgIn2O4有望发展成为一种有前途的GaN基蓝光LED衬底材料。关于MgIn2O4单晶体的制备, 由于In2O3组分易挥发，晶体较难生长，截至目前, 国内外尚无报道。本项目提出以助熔剂法生长MgIn2O4单晶体, 并采用水冷定位成核工艺, 选用合适的配
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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