SOI衬底上单电子晶体管的研制

本项目在SOI衬底上利用电子束曝光、ICP等离子体刻蚀和氧离子注入等技术开发制造新型的硅基单电子晶体管。在硅纳米电导细线上，通过注氧和热氧化形成微小的SiOx双隧穿结，实现量子点的纳米尺寸和数量可控。通过研究不同温度下器件的量子电导特性与结构设计之间的关系，不断优化器件结构参数与工艺条件，使工艺重复性和工作温度得到有效的提高，以最终实现器件的室温工作。这种方法具有工艺快速简便、量子点人工可控、电学性能稳定、适于大批量生产等优越性，使制备大规模量子逻辑电路成为可能，并与硅基微电子集成电路工艺相兼容。开发室温工作的硅基单电子晶体管，对于量子逻辑电路的实用化和未来的量子计算机的研制具有重要意义。