利用自旋噪音谱来实验研究稀磁性半导体中的临界现象

计划利用自旋噪音谱这一新颖的测量技术来实验研究稀磁性半导体材料在居里点(铁磁相变的临界温度)附近的临界现象，主要是材料中载流子自旋的涨落、载流子自旋和磁性离子的耦合随体系距离临界点远近的变化关系、对外界条件如电场、磁场等的依赖关系，以此来检验关于稀磁性半导体材料中磁性形成的物理机制的理论，以便进一步提高对磁性形成机制的认识，为进一步提高稀磁性半导体材料的居里温度提供新的信息。此外，通过建立和完善自旋噪音谱的测量技术，并辅之以已经拥有的一些实验技术（如时间分辨的法拉第/克尔旋转谱测量技术），我们将会拥有更多的实验手段、会在更高的研究水平上来研究半导体材料中与自旋有关的物理现象。通过本项目的研究，我们希望不仅能够观测、研究稀磁性半导体中的临界现象，验证其中磁性形成的物理机制，还希望能够得到一些不可预见的新发现。