LTP的去强化(depotentiation,DP)被认为是学习记忆过程中的重要环节。LTP的早时相去强化(E-DP)易于诱发,它对于发育过程中的神经环路精细化有重要作用。晚时相LTP的去强化(L-DP)较难发生,它可能反映了记忆信息的干扰或遗忘过程的突触可塑性变化。本项目拟探讨L-DP的发生规律、特征及形成机制。研究采用细胞外记录及脑片膜片钳全细胞记录技术,观察诱导L-DP的适宜刺激参数与特征,及NMDAR和mGluR阻断剂对L-DP的影响;结合细胞内染色,免疫电镜,Western Blot和蛋白组学技术,观测L-DP形成过程中树突棘的变化、突触膜上NMDARs与AMPARs的比值改变;分析L-DP形成前后CREB/p-CREB的变化并找出差异蛋白。本研究将为成瘾记忆、老年性痴呆症等记忆异常性疾病寻求新的干预措施提供理论依据。
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数据更新时间:2023-05-31
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