GaN异质结的电子辐照损伤与回复

GaN异质结是制备高温、高频、大功率电子器件优选的材料体系，它们在卫星、雷达和通信等领域具有很大的应用潜力。本研究项目拟采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上沉积高质量的GaN异质结，利用高压电子显微镜（HVEM）及其数字图像系统对GaN异质结薄膜样品进行原位电子辐照和热处理，结合高能电子加速器对GaN异质结块状样品的电子辐照及后续热处理实验，重点研究在不同辐照能量、辐照强度、辐照温度、电子束入射方向以及热处理温度下GaN异质结电子辐照缺陷的类型、二次缺陷的形成和演化，以及通过控制辐照能量和热处理条件揭示不同类型辐照缺陷与原生缺陷或结构的相互作用机制，为提高外延层辐照稳定性和增强辐照损伤回复能力提供直接实验依据。