半导体近表面量子阱受限电子能态原位光谱实验研究

半导体表面对近表面价态电子能态影响是当今纳米量级微电子和光电子发展中面临的最重要的基础性问题之一。根据这一需求本项研究首次提出和实现了用调制光谱与分子束外延相结合方法直接研究若干近表面量子限制结构中价态电子跃迁的行为。直接给出了表面对近表面价态电子的影响。观察和研究了表面δ掺杂结构中限制态到连续态的跃迁、表面量子阱中限制态之间跃迁行为和表面量子台阶体系中共振态之间的光跃迁特性。这一系列新研究结果无疑会为半导体纳米量级微电子和光电子进一步发展提供比要的物理基础。