热等离子体CVD半导体金刚石薄膜的制备与性质研究
基本信息
批准号：69071922
项目类别：面上项目
资助金额：4.00
负责人：张仿清
学科分类：
依托单位：兰州大学
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：蒋翔六,崔敬忠,杨映虎,李敬起,张文军
关键词：
热等离子体CVD半导体金刚石薄膜
结项摘要
本课题用热丝协助CVD法成功的实现了金刚石膜的硼掺杂.用霍尔效应实验证实是P型半导体材料,电阻率可降到0.01Ωcm,电阻率可改变十个量级以上,掺杂浓度可达10(20)原子/cm(3),达到目前国际先进水平,系统的研究了掺B金刚石膜的输运机理和键合状态.用IR分析测出B原子基态到第一,二激发态跃迁吸收峰,证实B原子在金刚石膜中以替位方式键合,用PL,ESR技术研究了金刚石膜中的缺陷态,首次提出B原子在金刚石膜中是非辐射中心,还研究了金刚石膜与金属的接触特性及热处理时它的影响,还探索了N型掺杂的方法和问题,上述研究为金刚石膜在电子器件方面的应用和理论研究作出了贡献.本工作在国内外学术刊物和国际会共发表8篇文章,获省科技进步三等奖.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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