金属陶瓷低截流、高分断真空触头材料的研究

阐明了真空触头截流、分断机理及过程，提出了一种能预测真空触头材料截流水平相对高低的理论判据，该判据系统地探明了触头材料截流水平与材料电阻率、游离电位、电子逸出功等参数的定量关系，提出了一种能预测触头材料分断能力相对大小的理论判据，并指出：增大触头材料的原子量、密度、比热等参数 ；减小其电阻率、游离电位将提高触头的分断能力。上述模型及结论均属在国内外首次提出且得到了实验验证，用单片机改进了原截流测试装置，分析了用Um=Ic*Z 原理测量截流时电感线圈内阻对测量精度的影响，提出了一种新的更合理的电阻率计算模型并定量反映了材料成分、含量、分布、空隙率等对电阻率的影响。本研究究对新材料研制有重要理论意义和应用价值。