半导体微晶中过渡族和稀土离子的辐射和无辐射过程

基本信息
批准号:19474048
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:虞家琪
学科分类:
依托单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈一民,赵家龙,靳春明,孙聆东,孙刚
关键词:
掺杂半导体微晶量子尺寸效应
结项摘要

本项目研究了含纳米晶的钠硼硅玻璃中由于量子限域效应ZnS的SP(3)和Mn的3d(5)电子间能量传递的增强。用光谱学和电子顺磁共振(EPR)技术确认Mn离子处在替位,间隙和Mn团三种不同的微观环境。观测到Mn(2+)离子的g和超精细结构常数随纳米晶粒径的减小而增大。研究了含ZnS ,Mn(2+)的聚合物薄膜中光辐照发光增强和衰减时间增加效应。我们认为表面态超重要作用。研究了ZnS=Mn(2+)胶体中纳米微粒的生长和光化过程。发现随时间椎移粒径变大,吸收激发光谱红移,表石态作为无辐射通道使Mn离子发射强度下降。观测到ZnS:Eu(3+)有机溶胶中的发射谱线这宽于体材料中特征发射线。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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