GaAs共平面结构新型超高速光调制器研究

基本信息
批准号:69307005
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:6.80
负责人:吴通锡
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨左娅,康晓黎,江晓清,杨建义,胡小文,朱月莲,张国荣
关键词:
砷化镓共平面光调制器
结项摘要

按预定要求全面完成本项目的研究工作。在国内外首次研制成具有独特结构的高效GaAs/GaAcAs行波型光调制器,半波电压小于8(V),3dB等宽32GAg。其特点为:①通过理论研究发现了改变包括光波导层在内有高阻层的总厚度,可以比较方便地实现调制微波与光波的传输速度的匹配而不影响其他性能指标。②在波导层下设置孤立的n(+)GaAlAs层,该层对电场起到了导体的作用而磁场则相当于绝缘体,通过对n(+)层厚度和掺杂浓度的优化选择既能较大幅度降低微波传输损耗又能达到提高调制效率和降低半波电玉的要求。③改变惯用的非对称电极彩用了对算宽电极与整体台面型结构,提高了器件的消光比,减少了微波吸收损耗冈时降了对材料生长的要求。本项研究为批量研制创造了条件。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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