Bismuth oxyhalides (BiOX, X = F, CI, Br, I) is the typical V-VI-VII semiconductor materials with unique electronic structure, good optical properties and catalytic performance. Bismuth oxyhalides have attracted increasing concerns in photovoltaic field because of its low toxicity and low cost characteristics. In recent years, however, bismuth oxyhalides thin-film photovoltaic performance remained some unresolved shortcomings such as low photoelectric conversion efficiency and need to add the liquid electrolyte, which limited their further applications in solar cell devices. In order to enhance the photoelectric conversion efficiency of the bismuth oxyhalides semiconducor , the aim of this project is mainly focused on investigating the effect of band gap, internal crystal structures, surface status and crystalline defect and crystal plane on the photoelectric performance of heterogeneous film for obtaining improved photoelectrical properties, and develop an optimized way to fabricate bismuth oxyhalides based heterogeneous films solid state solar cells with superior photoelectrical response.This project may play an important role in development of novel low cost heterogeneous thin film solar cells with high photocurrent conversion.
卤化氧铋(BiOX,X=F、CI、Br、I)是典型的V-VI-VII族半导体材料,具有独特的电子结构、良好的光性能和催化性能。自报道卤化氧铋具有光电活性以来,因其具有低毒、廉价等特点使其在光伏电池领域具有一定的竞争力。但近年来对卤化氧铋薄膜光电性能的研究结果并不理想,存在光电转化效率低和需要加入液态电解液等缺点。因此为了提高卤氧铋基半导体材料的光电转换效率,本项目旨在通过对卤氧铋基纳米晶能带结构的调控和对不同的晶体结构、生长方向、暴露晶面的光生载流子的迁移、电子-空穴对的分离及光电响应情况的研究,总结规律,进一步提高卤氧铋基异质结薄膜材料的光电性能,确定出一条制备高效实用的卤氧铋基异质结薄膜全固态太阳能电池的最佳方案。本项目的开展对于发展新型的低成本的卤氧铋基异质结薄膜并提高其作为太阳能电池的光电转换性能具有重要的研究意义。
课题组在室温的条件下,采用顺序离子层沉积的方法(SILAR)在FTO导电玻璃基底特别是柔性ITO基底表面合成了具有有序纳米片阵列结构的卤氧铋基半导体薄膜材料(BiOCl、BiOBr、 BiOI),并使其与金属硫族化合物(Bi2S3、CdS等)复合,形成有序的异质结构光电薄膜材料。采用交流阻抗图谱(EIS)、瞬态表面光电压谱(TPV)和稳态表面光电压谱(SPV)等技术深入研究了基于卤化氧铋的异质结光电薄膜界面的光生电子-空穴对的分离、传输及寿命,并研究 了不同暴露晶面的载流子的迁移及光电响应情况。在此基础上优化反应条件,确定出一条制备高效实用的卤氧铋基异质结光电薄膜的最佳方案,并将其组装成太阳能电池器件,测试了相应的光电转换性能。通过该项目的研究,我们阐明了卤氧铋基异质结光电薄膜界面光生载流子的传输机理,并初步验证了卤氧铋基薄膜在新型太阳能电池材料和器件领域中的应用。
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数据更新时间:2023-05-31
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