FeNi/NiO磁性纳米结构阵列的交换偏置效应

本课题在纳米球自组装和磁性材料研究的基础上，将两者有效地结合起来，旨在利用磁控溅射技术制备铁磁/反铁磁材料构成的FeNi/NiO双层膜的纳米结构阵列，并对其交换偏置效应进行详细研究。一方面，利用胶体球刻蚀技术，在硅平面衬底上制备尺寸可控的双层膜的纳米点阵列；另一方面，以胶体球曲面为衬底，在球冠上制备双层膜的"帽子"阵列。通过振动样品磁强计、超导量子干涉仪等磁学测试手段研究尺寸、形状、衬底结构等对偏置特征的影响。并将连续膜、纳米点阵列、"帽子"阵列偏置效应进行对比研究，进一步揭示交换偏置产生的微观机理。本课题的研究将为铁磁/反铁磁双层膜纳米结构的制备提供一个新的方法，为纳米磁存储器件的设计提供新的概念和思路，并将为开发具有自主知识产权的高密度磁存储技术提供理论和实践基础。