柔性基宏电子制造中微结构的大面积逆压印工艺基础研究

基本信息
批准号:50775176
项目类别:面上项目
资助金额:38.00
负责人:丁玉成
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:崔东印,秦歌,占艳,陈小明,钞书哲,魏巍
关键词:
逆压印有机电子材料微图型化柔性基材宏电子系统
结项摘要

基于TFT的柔性薄膜基电子系统不断趋向大面积(例如单边跨度超过1米的薄膜显示器)集成,形成所谓宏电子系统。常规微电子硅工艺在其技术兼容性、经济性和产能等方面不能满足宏电子系统制造的要求。因此,有必要探索宏电子制造的新方法。大面积柔性基材上的微结构图型化(micro-patterning)被认为是宏电子制造的核心工艺之一。本项目以此为研究对象,提出并尝试一种"逆压印"工艺,其中的模具为圆柱辊形状。通过对微结构图型化的辊压模具连续地提供"转移胶",并利用表面张力机制在辊压模具上形成转移胶的微结构图型;通过连续辊压方式将附着于辊压模具表面的微结构转移并粘结到柔性基材表面。其中转移胶是添加了光固化剂的有机电子功能材料(如聚合物导体或半导体),粘结转移至柔性基材表面的微结构图型由紫外光照射固化定形。具体研究内容包括连续供胶、滚压模具表面处理、逆压印过程控制、光固化型有机电子功能材料制备等问题。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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