金属硅化物/硅界面低肖特基势垒形成机理的理论研究

用第一性原理从头计算和实验方法，研究金属硅化物/硅界面肖特基势垒的形成机理和肖特基势垒高度（SBH）的调制。金属硅化物/硅界面会产生不同的界面局域态、界面共振态等，会引起费米能级钉扎，会导致界面两边载流子转移，进而导致能带弯曲或导致界面电偶极矩，因而改变SBH。本项目计划，1、研究金属硅化物和硅的能带结构及其由参考能级确定的相对能带结构关系；2、用不同的掺杂、改变其能带结构；3、界面局域掺杂和引入缺陷，修饰、改变、调制界面能带结构；4、研究界面态对SBH的影响，归纳调制SBH的物理原理，建立调制SBH的模型。本项目技术线路是，通过第一性理论从头计算进行不同方式的SBH调制，建立调制模型，并研究其物理机制。