数字像元相息图的研究

基本信息
批准号:69477014
项目类别:面上项目
资助金额:30.00
负责人:李耀棠
学科分类:
依托单位:中科院广州电子技术有限公司
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨世宁,王天及,范少武,张世超,温焕荣
关键词:
像元相息图光学计算全息图
结项摘要

首次在透射电构中原位研究力腐蚀过程。发现在裂纹形核前,腐蚀过程本身能促进位错发射,增殖和运动,当它们发展到临界条件时就导致应和腐蚀裂纹形核,用激光云纹干涉法证明,在裂纹形核前,腐蚀过程本身能使加载三点弯曲试样缺口前端的塑性区以及其中的变形量增大,即腐蚀促进局部塑性变形,腐蚀时表面会形成钝化膜或脱合金疏松层,与此同时在界面会产生巨大的附加拉应力(0.2-0.95)σs,它将叠加在外应力上促进位错发射和运动,从而导致低应力脆断。随水含量升高α-Ti在甲醇溶液中腐蚀产生的附加应力不断下降,当含水10%时附加应力为零,与此同时也不发生应力腐蚀。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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