低速高电荷态离子在固体表面诱发的可见光和红外光谱研究

ECR和超导ECR离子源可获得低速（小于玻尔速度）高电荷态离子，这种离子的核外大部分电子轨道处于空置状态，对固体中价带和导带电子来讲，形成非常高的能态，其势能差达几十到几百keV,且随电荷态增加呈指数增加。利用低速高电荷态离子，在实验上改变入射离子电荷态、能量、角度，测量其与金属和半导体相互作用中诱发的可见和红外光谱，对研究高电态离子的性质，探索高电荷态离子与固体表面相互作用过程中空心原子退激辐射和表面靶原子受激辐射的规律、能量在固体中的转化、电子和晶格的相互作用，以及表面结构和发光特性有非常重要的物理意义，还可进一步探索和发现新的物理现象及规律，进一步发展和完善现有理论模型。当前，本项目研究内容主要选择Arq+、Niq +、Krq+、Xeq+不同高电荷态离子与Au 、Mo 、Cu、Ni、 Al 、Be等和半导体(如，Ge、GaAs、GaN、GaP、 InP、InS)表面的相互作用研究。