通过共聚焦掺杂溅射及分子束外延,设计制备夹层结构磁自旋阀,中介层主要选择:1. 具有光敏特性的GaAs/AlxGa1-xAs半导体pn结薄膜(光可以控制pn结中间耗散层产生的载流子对的浓度);2:对偏振光敏感的n-GaAs等施主型半导体薄膜(圆偏振光入射施主掺杂半导体,能在半导体内产生自旋极化现象)3:室温下的具有一定的光学透明性的掺杂金属氧化物(例如半磁半导体薄膜,光对其局域磁矩有影响),通过选
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数据更新时间:2023-05-31
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